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g线是436nm波长的光源，i线是365n线和i线，KrF需要的光刻胶和抗射涂层材来适应KrF光源的。
同时KrF要更能的光学统和光掩膜材。当时需要采用更先进的透镜和光学元，以实现更的数值孔径和分辨率。
，光掩膜材也需要具有更低的散射和吸收。
KrF还需要优曝光过，以成像质。我们当时主要采用了双曝光和离焦曝光技术来降低光刻误差。
让我，对了，我们当时在研发KrF光源的时候还要对控进行考虑，为KrF实现了更的分辨率，所以需要更严格的控要。
需要对光刻胶涂覆厚、曝光剂、显影过参数进行更精确的控，以保证光刻成像质和产。
这多困难，我们照样克服了，终KrF光源替了g线和i线，成为了今的先进的光源。
同样未来短波长的光源势必会替长波长的光源，这是技术进步的必。
我们刚刚讨论的困难是暂时的困难。”
ASML、尼康和佳能是暂缓了在ArF上的投，而不是停止了在ArF技术线上的投。
后来ASML实现弯超车，也是为他们选择了确的技术线，ArF光源以为介质，在光刻胶上面抹一层。
的介质折射率是，193纳米÷≈134纳米，ArF光源的波长进一步减少了。
ASML能够干......掉尼康和佳能，垄断光刻领域，他们在技术线的两个关键节点做出了确的选择。
应该稳健的时候他们尼康稳健，从而在光刻市场站稳了脚跟。
应该激进的时候他们尼康激进，从而占据了端市场，额润全吃掉了，后续一保持住了技术领先。
ArF技术线突破后，ArF的波长是193nm，他多能够造65nm的芯片。
如要造40nm以下的芯片，需要找到160nm以下的光源。
尼康和佳能企业选择的是157nm的F2激光，而ASML找到了光源做介质一步到了。