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现目市流的光刻，按照范围可两：一是过准激光，将193纳米光源进折射的DUV光刻。
DUV光刻基做25纳米级别，像著名的特尔司采双台的魔改式将DUV光刻的精做10纳米，是无达10纳米。
不过DUV光刻已经是过式，另一更先进的EUV光刻，采取的是离激光射，射的光源光波波长达13.5纳米。
在这曝光精区间，一先进点的晶圆厂层曝光的手段，亦是台的叠，幅升辨率，让曝光刻蚀的电路精级别数倍的升，从产7纳米甚至更级别的5纳米芯片。
是这样的取巧带来的结是，终晶圆流片的良品率偏低，进导致芯片造的倍升。
这是为何，端芯片的价格始终居不。
决这问，必须不断升光刻的曝光精，改善芯片的造艺。
陈决的0.1纳米精是什概念？
目类掌握的精级别，别说是国内的这光电所半路的半导研企业了，算交给整业龙头的风车国ASML司耗费几、甚至半世纪追赶。